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产品分类

晶体管
IKFW60N60DH3EXKSA1参考图片

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IKFW60N60DH3EXKSA1

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库存:6,870(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.1722
54.1722
10
¥48.9516
489.516
25
¥46.7142
1167.855
100
¥40.4992
4049.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
141 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
74 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKFW60N60DH3E SP001502658
商品其它信息
优势价格,IKFW60N60DH3EXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
2,500:¥7.2433
参考库存:26106
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥136.165
10:¥125.1701
25:¥120.0286
100:¥105.7341
参考库存:3543
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
500:¥27.4364
参考库存:7855
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.5879
5,000:¥4.6104
10,000:查看
参考库存:26682
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
1:¥50.3302
10:¥42.8044
100:¥37.1092
250:¥35.1882
参考库存:3704
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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