MUN5233DW1T1G详细参数_参考价格_MUN5233DW1T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	187 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5233DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BCX5416H6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.0736 10:¥2.2939 100:¥1.243 1,000:¥0.92999 2,000:¥0.80682 10,000:¥0.75258	参考库存:31888
2SB1215T-TL-H	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 100V	1:¥6.4523 10:¥5.3223 100:¥3.4239 700:¥2.7459 2,100:¥2.3165	参考库存:11415
2N2484	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	1:¥43.2564 10:¥34.804 100:¥31.7304 250:¥28.589	参考库存:6202
BCR108E6433HTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR	1:¥1.4577 10:¥1.356 100:¥0.48364 1,000:¥0.32318 10,000:¥0.2147 20,000:查看	参考库存:502544
BCR 555 E6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR	1:¥2.6894 10:¥1.8419 100:¥0.7684 1,000:¥0.52206 3,000:¥0.4068	参考库存:73821