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晶体管
ZXTN19060CFFTA参考图片

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ZXTN19060CFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V Transitor
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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.407
44.07
100
¥2.8476
284.76
1,000
¥2.2713
2271.3
3,000
¥2.2713
6813.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
5.5 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN190
直流电流增益 hFE 最大值
200
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 100 mA, 2 V, 160 at 2 A, 2 V, 30 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN19060CFFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:45146
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥3.6725
4,000:¥3.3561
10,000:¥3.2657
参考库存:45151
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
2,000:¥5.4014
4,000:¥5.198
10,000:¥4.9946
参考库存:45156
晶体管
MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
10,000:¥1.2656
参考库存:45161
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
1:¥70.1504
10:¥63.167
25:¥57.5509
100:¥51.9461
1,000:¥37.8776
2,000:查看
参考库存:45166
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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