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无线和射频半导体
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BLV11

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库存:30,845(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥576.30
576.3
10
¥480.25
4802.5
25
¥432.225
10805.625
50
¥384.20
19210
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
250 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128 kB M4, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥39.0302
520:¥36.8832
1,040:¥36.273
参考库存:40628
无线和射频半导体
射频前端 5GHz 22.5dBm, 5V 11ac FEM with DPD coupl
4,500:¥11.6051
参考库存:2016740
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz 802.11b/g/n
100:¥52.5563
200:¥48.1832
参考库存:40635
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-3000MHz SPDT P1dB 36dBm 75 Ohm
2,500:¥10.1474
5,000:¥9.6841
参考库存:40640
无线和射频半导体
射频放大器 10-300MHz NF 3.0dB Gain 16.0dB
20:¥1,111.2646
参考库存:40645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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