HMC814-SX详细参数_参考价格_HMC814-SX PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	Broadband Amplifier
技术	GaAs
工作频率	13 GHz to 24.6 GHz
P1dB - 压缩点	-
增益	-
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	-
测试频率	-
OIP3 - 三阶截点	-
工作电源电流	88 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC814G
封装	Gel Pack
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	7 dB
Pd-功率耗散	782 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	2
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	5.5 V
电源电压-最小	4.5 V

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ATSAMR21G18A-MFT	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 256K 125C T&R	1:¥41.6518 10:¥41.0303 25:¥38.0358 4,000:¥35.5724	参考库存:6462
SKY66288-11	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5.15-5.925GHz 4W PAE 25% Gain 28dB	1:¥127.5544 10:¥115.4182 25:¥106.2652 50:¥100.1971 2,500:¥73.7664	参考库存:1914
PN5180A0ET/C1QL	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 High-power NFC Frontend Solution	1:¥55.2457 10:¥49.946 25:¥47.6408 100:¥41.3354	参考库存:4216
PN5180A0HN/C3E	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 PN5180A0HN/HVQFN40//C3/TRAY SINGLE DP BAKEABLE	1:¥55.2457 10:¥49.946 25:¥47.6408 100:¥41.3354	参考库存:5713
AWR1443FQIGABLQ1	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC AWR1443 TRAY ES3	1:¥454.1244 5:¥440.3723 10:¥426.6202 25:¥412.8568	参考库存:2000