HMC590LP5E详细参数_参考价格_HMC590LP5E PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-32
类型	RF Amplifier
技术	GaAs
工作频率	9.5 GHz
P1dB - 压缩点	30.5 dBm
增益	21 dB
工作电源电压	7 V
OIP3 - 三阶截点	40 dBm
工作电源电流	820 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC590G
封装	Cut Tape
频率范围	6 GHz to 9.5 GHz
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	5.98 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	188.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAMX-011023-TR3000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 4-23GHz NF7dB@12GHz RF5-25GHz LO4-23GHz	3,000:¥40.8834	参考库存:38429
2089-6204-00	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 8-12.4GHz IL .40dB VSWR 1.60:1	5:¥5,428.746	参考库存:38434
QPF8538TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 WiFi FEM NF 2.5dB 3.3V RX Gain 12.5dB	1:¥17.1308 250:¥12.7577 500:¥10.7576 1,000:¥7.8422 2,500:¥5.9212	参考库存:22431
NJG1138HA8-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 900MHz Band LNA GaAs MMIC	3,000:¥7.684	参考库存:38441
PTVA120251EA-V2-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥591.2047	参考库存:38446