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无线和射频半导体
BFP 740 H6327参考图片

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BFP 740 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2092
32.092
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5142
1514.2
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
42 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740H6327XTSA1 BFP74H6327XT SP000750414
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 32 PIN SiP 256K MCU + 802.15.4 Sub-GHz Radio
1:¥26.668
10:¥26.2838
25:¥24.4306
100:¥23.6622
参考库存:7326
无线和射频半导体
RF 开关 IC .4-2.7GHz SP10T IL .95dB @2.7GHz
1:¥16.7466
10:¥15.142
25:¥13.673
100:¥12.1362
3,000:¥7.684
参考库存:5553
无线和射频半导体
射频前端 2.412 - 2.484 GHz 26dBm, 34 dB
1:¥40.8043
250:¥37.4256
500:¥32.657
1,000:¥27.1991
2,500:¥21.8203
参考库存:15670
无线和射频半导体
射频收发器 3 bands TXRX without LoRa
1:¥45.0305
10:¥36.3408
100:¥33.0412
250:¥29.8885
3,000:¥20.8259
参考库存:18342
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 2400-2725
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
1,500:¥28.9732
参考库存:25274
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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