RFFM4200TR13详细参数_参考价格_RFFM4200TR13 PDF资料_Qorvo

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：15,670(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频前端
RoHS	是
类型	Wi-Fi
工作频率	2.4 GHz to 2.5 GHz
NF—噪声系数	0.8 dB
工作电源电压	3.3 V to 5 V
工作电源电流	435 mA
最大工作温度	+ 85 C
最大数据速率	54 Mb/s
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-24
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
技术	GaAs InGaP
商标	Qorvo
增益	34 dB
开发套件	RFFM4200PCK-410
最小工作温度	- 30 C
P1dB - 压缩点	32 dBm
产品类型	RF Front End
工厂包装数量	2500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	RFFM4200

商品其它信息

优势价格，RFFM4200TR13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF1K50H-TF2	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2/HWONLY///BOARDS NO MARK	1:¥9,605.00	参考库存:2938
T1G2028536-FS	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN	1:¥3,903.472 25:¥3,597.4228	参考库存:3040
QPA1011	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 7.9-11GHz 25W GaN	1:¥3,488.536 25:¥2,835.396	参考库存:2962
ADL5367ACPZ-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 Single 1GHz Low Side Inject w/o IF Amp	1:¥96.6602 10:¥87.6767 25:¥82.4448 50:¥79.3712 1,500:¥56.3983	参考库存:8899
CC3100R11MRGCR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC CC3100R11MRGCR	1:¥57.7091 10:¥52.1721 25:¥48.3301 100:¥43.2564 2,500:¥31.5835	参考库存:21891