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无线和射频半导体
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D1212UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
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数量单价合计
50
¥1,171.9682
58598.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DH
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1212UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
3,000:¥4.7234
参考库存:21174
无线和射频半导体
射频混合器 LO 4-16GHz NF <6.0dB IF DC-2GHz
1:¥5,892.7014
参考库存:2111
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-20000MHz ISO 40dB Sample board
1:¥3,842.00
参考库存:2123
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥1,408.7032
25:¥1,163.2785
50:¥930.6115
100:¥793.147
参考库存:2175
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:36422
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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