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无线和射频半导体
PD84006-E参考图片

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PD84006-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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数量单价合计
1
¥115.9493
115.9493
10
¥106.5816
1065.816
25
¥102.1972
2554.93
100
¥90.061
9006.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD84006-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD84006-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC w/USB
1:¥59.1668
10:¥53.4829
25:¥49.4827
100:¥44.2621
250:¥42.036
参考库存:4620
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥207.468
10:¥191.874
25:¥184.1109
50:¥176.3478
100:¥163.8952
参考库存:3947
无线和射频半导体
衰减器 10-20GHz 5 Bit LSB .75dB
1:¥484.092
25:¥383.5107
100:¥303.8231
250:¥285.4606
参考库存:4394
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
1:¥61.7771
10:¥55.8672
25:¥53.2456
100:¥46.2622
参考库存:5686
无线和射频半导体
射频放大器 Dl 50-1000MHz Hi-Lin Analog/Digital VGA
1:¥88.366
10:¥85.9817
25:¥75.7665
50:¥69.6193
参考库存:3943
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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