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MRF581A

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¥34.578
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10
¥28.8941
288.941
25
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649.185
50
¥23.052
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Macro-X
封装
Tray
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
100 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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