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无线和射频半导体
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TGF2040

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm
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数量单价合计
100
¥50.9404
5094.04
300
¥47.5617
14268.51
500
¥44.4881
22244.05
1,000
¥41.5727
41572.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
13 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
129 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
155 mS
NF—噪声系数
1.1 dB
P1dB - 压缩点
26 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098615
商品其它信息
优势价格，TGF2040的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMZ25332B4T1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 MMZ25332B4/HVQFN24///REEL 7 Q2 NDP
1,000:¥37.3465
2,000:¥33.9678
参考库存:30112
AD630BDZ
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 MODULATOR/DEMOD IC
19:¥500.7708
38:¥465.7295
57:¥451.3559
114:¥440.6774
参考库存:30117
HMC480ST89ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 5 GHz
500:¥23.8995
1,000:¥20.1366
2,500:¥19.1309
5,000:¥18.4416
参考库存:30122
PJF7992ATW/D1CJ
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 PJF7992ATW/HTSSOP20//D1C/REEL 13 Q1 NDP
1:¥25.1312
10:¥21.357
100:¥18.5207
250:¥17.5941
2,500:¥12.6786
参考库存:30127
ADL5812ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Dual Wide Band Passive Mixer with RF Bal
750:¥103.3498
参考库存:30132

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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