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无线和射频半导体
BFR843EL3E6327XTSA1参考图片

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BFR843EL3E6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:62,369(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.068
40.68
100
¥2.486
248.6
1,000
¥1.9097
1909.7
15,000
¥1.5255
22882.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
230
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
集电极连续电流
55 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
12 GHz
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
125 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
843EL3 BFR E6327 SP001062610
单位重量
0.470 mg
商品其它信息
优势价格,BFR843EL3E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥42.4202
10:¥37.8776
25:¥34.0356
100:¥31.0411
参考库存:29813
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥1,284.5388
2:¥1,253.6446
5:¥1,235.2821
10:¥1,217.7558
参考库存:29818
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
1:¥1,011.2935
10:¥889.2648
25:¥790.4576
50:¥709.075
参考库存:29823
无线和射频半导体
射频接收器 Dual CH 370MSPS Rcvr & Feedback IC
2,000:¥1,056.55
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无线和射频半导体
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250:¥50.1042
500:¥45.9458
1,000:¥40.0359
参考库存:29833
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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