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无线和射频半导体
BGA 420 H6327参考图片

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BGA 420 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频放大器 RF SI MMIC-Amp SIEGET 25 Tech
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库存:31,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4579
54.579
100
¥3.5256
352.56
1,000
¥2.825
2825
3,000
¥2.3843
7152.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
类型
MMIC Amplifier
工作频率
1.8 GHz
P1dB - 压缩点
- 2.5 dBm
增益
13 dB
工作电源电压
3 V
NF—噪声系数
2.2 dB
OIP3 - 三阶截点
13 dBm
工作电源电流
6.7 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BGA420
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
频率范围
0.1 GHz to 3 GHz
商标
Infineon Technologies
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
隔离分贝
28 dB
Pd-功率耗散
90 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
3000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
BGA420H6327XTSA1 BGA42H6327XT SP000753504
单位重量
6.400 mg
商品其它信息
优势价格,BGA 420 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:10955
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥423.0833
2:¥411.5573
5:¥400.1782
10:¥388.7313
参考库存:1637
无线和射频半导体
衰减器 LP ATTENUATOR 8DB
1:¥166.3586
5:¥157.3638
10:¥150.1431
25:¥143.849
参考库存:31222
无线和射频半导体
衰减器 Attn=6db -55C +150C RL=15dB @ 40GHz
100:¥34.352
300:¥31.4253
500:¥28.589
1,000:¥25.7414
参考库存:31227
无线和射频半导体
射频前端 High Power 2.4-GHz FEM
1:¥39.7986
10:¥35.5046
25:¥31.9677
100:¥29.1201
4,500:¥17.2099
参考库存:1514
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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