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射频晶体管
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D1029UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP
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数量单价合计
1
¥1,916.2314
1916.2314
10
¥1,692.0959
16920.959
25
¥1,535.2632
38381.58
50
¥1,439.9816
71999.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
35 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1029UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
1:¥861.0713
10:¥807.2833
25:¥788.3784
50:¥769.5526
参考库存:8579
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 4.5x4.0mm Flat lead
1,000:¥2.3165
参考库存:37646
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:4771
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.3787
10:¥2.5764
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.84524
参考库存:49263
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
1:¥1,695.4746
参考库存:4395
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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