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射频晶体管
A2T26H165-24SR3参考图片

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A2T26H165-24SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
250
¥719.5275
179881.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
700 mA, 1.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
14.7 dB
输出功率
32 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.496 GHz to 2.69 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935313041128
单位重量
4.672 g
商品其它信息
优势价格，A2T26H165-24SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V- 1GHz SE
50:¥416.9361
参考库存:35916
STAC9200
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
1:¥1,281.1488
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:35921
MRF8P9040NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W
1:¥191.4898
5:¥183.0374
10:¥176.6529
25:¥154.1433
500:¥132.9332
参考库存:35926
CGHV40100F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
1:¥2,507.4474
参考库存:3081
QPD1823
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
参考库存:35933

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    50万现货SKU

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