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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	220 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 2.4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130969

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
A2V09H525-04NR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	1:¥1,154.6792 5:¥1,128.9378 10:¥1,105.8067 25:¥1,089.5121 150:¥1,026.3564	参考库存:39406
CGH55015F2	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt	1:¥528.049	参考库存:6341
AGR19030EF	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 930-960MHz 6Watt Gain 16dB	1:¥424.541 5:¥389.5788 10:¥349.622 25:¥309.6652	参考库存:39413
PTAC210802FC-V1-R250	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥445.1296	参考库存:39418
DME500	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor	25:¥2,375.5086	参考库存:39423