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射频晶体管
MRF6V3090NBR1参考图片

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MRF6V3090NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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数量单价合计
500
¥382.1999
191099.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
115 V
增益
22 dB
输出功率
18 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.47 GHz to 0.86 GHz
系列
MRF6V3090N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310252528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V3090NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥293.5288
10:¥243.2777
25:¥236.509
50:¥229.7516
100:¥175.1161
参考库存:4028
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N/FM4F///REEL 13
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5:¥1,290.686
10:¥1,264.3231
25:¥1,245.6555
50:¥1,200.399
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10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:48917
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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