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射频晶体管
BFP 650 H6327参考图片

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BFP 650 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.4238
1423.8
3,000
¥1.2091
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP650
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
150 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
37 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP650H6327XTSA1 BFP65H6327XT SP000750406
单位重量
31 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 650 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 405F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:17718
MRFE6VP5600HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
1:¥1,028.4243
5:¥1,008.4459
10:¥975.1787
25:¥933.9111
50:¥921.0856
参考库存:35665
MRF151GB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:35670
MMRF1017NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
250:¥1,181.7992
参考库存:35675
MRF134
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:3700

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    50万现货SKU

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