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射频晶体管
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NSVF6003SB6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
3,000
¥2.0905
6271.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CPH-6
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
150 mA
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，NSVF6003SB6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD57018-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
参考库存:7038
MMRF1316NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥507.5282
参考库存:39505
LET9045
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
1:¥386.7312
5:¥378.0528
10:¥363.295
25:¥351.543
参考库存:39510
PTFC261402FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:39515
MRF174
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:39520

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    50万现货SKU

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