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射频晶体管
SD2931-10W参考图片

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SD2931-10W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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数量单价合计
1
¥544.3323
544.3323
5
¥534.3431
2671.7155
10
¥520.5119
5205.119
25
¥510.2967
12757.4175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
230 MHz
系列
SD2931-10
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,SD2931-10W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
600:¥178.1106
参考库存:38489
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:246719
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
150:¥911.0964
参考库存:38496
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 20V 10MA
1:¥7.1416
10:¥6.3958
25:¥5.7743
100:¥5.0511
3,000:¥2.7459
参考库存:15916
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:17673
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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