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射频晶体管
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MRF134

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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数量单价合计
1
¥241.8878
241.8878
10
¥223.6835
2236.835
25
¥214.6096
5365.24
50
¥205.547
10277.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11 dB
输出功率
5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
商品其它信息
优势价格，MRF134的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT21S230-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L
250:¥1,072.3022
参考库存:35846
MDS800
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥4,819.8681
5:¥4,529.4129
参考库存:2511
A2T18S262W12NR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
100:¥527.8908
250:¥483.7869
参考库存:35853
UF28150J
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
1:¥2,069.9114
10:¥2,037.7968
参考库存:2513
MRF1K50H-TF4
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:2485

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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