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射频晶体管
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UF28150J

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
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1
¥2,069.9114
2069.9114
10
¥2,037.7968
20377.968
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
8 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
375-04
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
优势价格,UF28150J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:34552
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE
1:¥243.2777
10:¥214.8469
25:¥194.9476
50:¥173.5793
参考库存:34557
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥816.425
10:¥749.19
25:¥672.35
50:¥595.51
参考库存:34562
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1:¥877.3546
5:¥861.2182
10:¥822.414
25:¥795.068
100:¥740.2743
150:¥678.339
参考库存:34567
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥597.0468
5:¥546.8748
参考库存:34572
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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