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射频晶体管
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GTVA104001FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
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1
¥4,191.7802
4191.7802
50
¥4,191.7802
209589.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
输出功率
400 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1.215 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
开发套件
LTN/GTVA104001FA-V1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，GTVA104001FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:37104
MRF24300NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,333.9424
5:¥1,304.133
10:¥1,277.465
25:¥1,258.6392
250:¥1,185.6412
参考库存:3784
D1028UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 300W-28V-175MHz PP
1:¥1,820.4187
10:¥1,600.7354
25:¥1,454.2761
50:¥1,276.3915
参考库存:37111
MS1261
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥742.8168
5:¥720.2959
10:¥699.1649
25:¥655.4452
参考库存:37116
D2230UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
100:¥251.9561
250:¥247.6508
参考库存:37121

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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