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射频晶体管
BFR 183 E6327参考图片

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BFR 183 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
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1
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2.9945
10
¥2.1131
21.131
100
¥0.97632
97.632
1,000
¥0.7458
745.8
3,000
¥0.63732
1911.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR183
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 15 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.065 A
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327XT SP000011054
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 183 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:8611
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
150:¥1,073.6808
参考库存:40003
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:6743
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:40010
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
1:¥5,780.2099
参考库存:6825
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    品类不断扩充

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    保证原装正品

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