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射频晶体管

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AFT26H200W03SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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数量单价合计
150
¥892.8808
133932.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Reel
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311201128
单位重量
8.440 g
商品其它信息
优势价格，AFT26H200W03SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLW96
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,283.228
5:¥1,279.386
参考库存:3778
AFT18P350-4S2LR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
150:¥1,151.7525
参考库存:37165
LET9045TR
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
参考库存:37170
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:24850
MMBTH10-TP
Micro Commercial Components (MCC)
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.69947
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:23537

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    50万现货SKU

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