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射频晶体管
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PTAC260302FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥500.5335
125133.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
增益
15.5 dB
输出功率
30 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248H-4
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTAC260302FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA047002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,955.8088
参考库存:39541
MMRF1014NT1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1014N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥99.0445
10:¥91.0554
25:¥87.0552
100:¥76.9191
1,000:¥60.9296
参考库存:7911
PTFB090901FA-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥329.3385
参考库存:39548
SD1015-06
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:6168
MRF314
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥227.9097
10:¥217.073
参考库存:6520

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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