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射频晶体管
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MRF314

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
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10
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3.4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-07
封装
Tray
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
82 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF314的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF141G
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,451.8127
10:¥1,403.4035
25:¥1,354.9943
50:¥1,306.6642
参考库存:35893
BF992,215
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
1:¥5.1528
10:¥4.5765
25:¥4.1358
100:¥3.616
3,000:¥1.9662
参考库存:28573
BFP 405 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:6560
SD4931
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
1:¥614.72
5:¥603.42
10:¥576.30
25:¥557.09
参考库存:35902
D2220UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
1:¥222.2936
10:¥196.2471
25:¥178.0428
50:¥158.5955
参考库存:35907

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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