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射频晶体管
BFP 620 H7764参考图片

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BFP 620 H7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5595
35.595
100
¥2.1696
216.96
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP620
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
65 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
185 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP620H7764XTSA1 BFP62H7764XT SP000745302
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 620 H7764的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥346.9326
5:¥328.1859
10:¥324.423
25:¥299.9811
参考库存:5334
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-88
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:38581
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:28066
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,073.6726
参考库存:38588
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch RF Amplifier 30Vdg -30Vgs 50mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:15473
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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