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射频晶体管
MRF1517NT1参考图片

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MRF1517NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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数量单价合计
1
¥88.2869
88.2869
10
¥79.7554
797.554
25
¥69.5402
1738.505
100
¥66.0824
6608.24
1,000
¥48.6352
48635.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
14 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
520 MHz
系列
MRF1517NT1
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
62.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935310293515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,MRF1517NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
150:¥1,030.3453
参考库存:38807
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:38812
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
50:¥3,786.4492
参考库存:38817
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:5522
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
600:¥181.8057
参考库存:38824
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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