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射频晶体管
BF861B,215参考图片

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BF861B,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.2376
62.376
25
¥5.6387
140.9675
100
¥4.9381
493.81
3,000
¥2.6781
8034.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
15 mA
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
RF JFET
系列
BF861
类型
JFET
商标
NXP Semiconductors
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934034350215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF861B,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MZ0912B50Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
10:¥2,382.04
25:¥2,151.52
参考库存:35771
AFT21S232SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
250:¥714.838
参考库存:35776
PD57030-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥335.2484
2:¥331.5646
5:¥327.8017
10:¥312.8179
参考库存:2716
ITC1100
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,308.6448
参考库存:35783
MRF157
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
1:¥3,621.9325
10:¥3,565.9184
参考库存:2438

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    品类不断扩充

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