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射频晶体管
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ARF1500

  • Microchip / Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,386.1145
1386.1145
2
¥1,352.7682
2705.5364
5
¥1,333.0158
6665.079
10
¥1,314.1222
13141.222
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
60 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
6 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
10 ns
Pd-功率耗散
1.5 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格,ARF1500的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
100:¥243.3568
250:¥239.1984
参考库存:36208
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暂无价格
参考库存:36213
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1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
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射频晶体管
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1:¥237.4356
250:¥237.4356
参考库存:3375
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:2882
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