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射频晶体管
BF 998 E6327参考图片

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BF 998 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF998
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V to 12 V
零件号别名
BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,BF 998 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
1:¥376.742
10:¥352.2323
参考库存:6614
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB
1:¥645.682
10:¥630.0089
参考库存:4306
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1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:37603
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
10:¥168.0536
参考库存:4918
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:28650
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