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射频晶体管
MMBT2907A-G参考图片

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MMBT2907A-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
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数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.1978
11.978
100
¥0.54579
54.579
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBT2907A
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极连续电流
- 600 mA
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
200 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT2907A-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 5mA
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
10,000:¥1.2543
参考库存:49392
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:31729
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,452.8119
参考库存:39196
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
参考库存:5836
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
1:¥410.5516
5:¥398.6414
10:¥390.1212
25:¥373.6684
250:¥331.3386
参考库存:6388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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