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晶体管
SIHA120N60E-GE3参考图片

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SIHA120N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220
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库存:2,119(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.567
40.567
10
¥33.5836
335.836
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格,SIHA120N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:16168
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32996
参考库存:90070
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:13842
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 1kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:31009
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:2711
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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