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晶体管
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TGF2953

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
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数量单价合计
50
¥337.3276
16866.38
100
¥291.766
29176.6
250
¥274.2397
68559.925
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
820 mA
输出功率
41.6 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
17 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112257
商品其它信息
优势价格，TGF2953的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW65R125C7
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:6355
STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥52.093
10:¥47.0984
25:¥44.9514
100:¥39.0302
参考库存:5452
NVC3S5A51PLZT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:47729
FGH30S150P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 SA2TIGBT TO247 30A 1500V
1:¥47.0984
10:¥40.0359
100:¥34.7362
250:¥32.883
参考库存:12281
DMTH6004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
800:¥10.5994
参考库存:6508

  • 海量现货

    50万现货SKU

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