APT100GN120JDQ4详细参数_参考价格_APT100GN120JDQ4 PDF资料_Microsemi

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	1.7 V
在25 C的连续集电极电流	153 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	446 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GN120JDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NSS60101DMTTBG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA	1:¥4.5313 10:¥3.7516 100:¥2.2939 1,000:¥1.7628 3,000:¥1.5029	参考库存:12805
CE3512K2-C1	CEL	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C	1:¥8.8366 10:¥6.7574 100:¥4.9155 500:¥4.181 10,000:¥3.0736 20,000:查看	参考库存:119262
SIR826DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET	1:¥22.6678 10:¥18.8258 100:¥14.5996 500:¥12.7577 3,000:¥12.7577	参考库存:37894
FDZ375P	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench	1:¥22.4418 10:¥19.0518 100:¥16.5206 250:¥15.6731 5,000:¥10.8367	参考库存:24056
DMP3028LSD-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 2,500:¥1.8419	参考库存:49063