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晶体管
AUIRG4BC30S-S参考图片

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AUIRG4BC30S-S

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8202
198.202
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.2946
4073.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511470
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,AUIRG4BC30S-S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Low Power MCU; LCD 5x29, 16Kbyte ROM, TQFP100
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:37816
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:37821
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
5,000:¥3.4578
10,000:¥3.3222
25,000:¥3.2318
参考库存:37826
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥121.3281
10:¥111.5762
25:¥106.8867
100:¥94.2081
450:¥83.8347
900:查看
参考库存:37831
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 4A 100V
暂无价格
参考库存:37836
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    50万现货SKU

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