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晶体管
APT9F100B参考图片

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APT9F100B

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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库存:4,626(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.2568
51.2568
10
¥46.104
461.04
25
¥42.036
1050.9
100
¥37.9567
3795.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
337 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,APT9F100B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
500:¥17.7523
参考库存:4513
晶体管
IGBT 模块 1200 V 600 A IGBT
1:¥1,526.3475
参考库存:2620
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC
1:¥3.1527
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.66896
参考库存:30482
晶体管
MOSFET P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:16349
晶体管
IGBT 模块 600V 600A Dual
1:¥1,157.8206
参考库存:2781
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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