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晶体管
DMN3150L-7参考图片

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DMN3150L-7

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库存:120,111(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.2939
22.939
100
¥1.05316
105.316
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.69156
2074.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
620 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN3150
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
3.26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.49 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.02 ns
典型接通延迟时间
1.14 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3150L-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥9.2999
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.0737
3,000:¥3.7403
6,000:查看
参考库存:23436
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V HIGH GAIN
1:¥5.6048
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:8773
晶体管
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
1:¥7.0738
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.9493
参考库存:25420
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle NPN, 100mA
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:49600
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:29197
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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