DTA044EUBTL详细参数_参考价格_DTA044EUBTL PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMT-3F-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA044EUB
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA044EUB

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB029N06N3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥13.5261 10:¥11.526 100:¥9.2208 500:¥8.0682 1,000:¥6.6896	参考库存:6141
BSZ058N03MS G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M	1:¥6.4523 10:¥5.3675 100:¥3.4578 1,000:¥2.7685 5,000:¥2.3391	参考库存:19068
MJD253-1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 12.5W PNP	1:¥5.4579 10:¥4.5313 100:¥2.9154 1,000:¥2.3391	参考库存:4955
IPP023N04NGXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3	1:¥14.6787 10:¥12.4526 100:¥9.9892 500:¥8.6784 1,000:¥7.2433	参考库存:5392
SPD18P06PGBTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2	1:¥8.4524 10:¥7.2659 100:¥5.5822 500:¥4.9381 2,500:¥3.4578 10,000:查看	参考库存:25729