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晶体管
IPD80R2K0P7ATMA1参考图片

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IPD80R2K0P7ATMA1

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库存：50,865(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.424
54.24
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
1,000
¥2.9041
2904.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
24 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD80R2K0P7 SP001634906
单位重量
387.100 mg
商品其它信息
优势价格，IPD80R2K0P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
500:¥16.2155
1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
参考库存:51046
GTVA261701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:51051
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:51056
STP180NS04ZC
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH CLMP 12A FULL PROTCT SAFeFET
1,000:¥17.8314
2,000:¥16.9048
5,000:¥16.2946
参考库存:51061
IPLK80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:51066

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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