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晶体管
DMTH8003SPS-13参考图片

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DMTH8003SPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1755
3587.75
1,000
¥5.9438
5943.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH8003
商标
Diodes Incorporated
下降时间
20.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47.9 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH8003SPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥16.9839
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
2,500:¥7.7631
5,000:查看
参考库存:10516
晶体管
MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥26.9731
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
3,000:¥13.6052
6,000:查看
参考库存:15113
晶体管
MOSFET 20V 35A 52W
1:¥8.5315
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
3,000:¥4.6782
参考库存:28735
晶体管
MOSFET FPS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
3,000:¥7.7631
6,000:查看
参考库存:14042
晶体管
MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2546
500:¥6.4071
1,000:¥5.0511
2,500:¥4.4861
参考库存:14469
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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