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晶体管
2N5582/TR参考图片

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2N5582/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:38,706(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥107.802
10780.2
200
¥98.2761
19655.22
500
¥91.982
45991
1,000
¥84.3658
84365.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-46-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
800 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 150 mA, 10 V
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散
500 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2N5582/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 3Ohm
1:¥5.763
10:¥5.6952
25:¥4.8251
100:¥4.3505
参考库存:7751
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:13188
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:17140
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,500:¥1.03734
10,000:¥1.03734
参考库存:20382
晶体管
MOSFET PNP/NMOS
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:17384
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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