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晶体管
AFT05MS003NT1参考图片

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AFT05MS003NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥24.2837
24.2837
10
¥22.2836
222.836
25
¥20.2835
507.0875
100
¥18.2156
1821.56
1,000
¥13.673
13673
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 30 V
增益
20.8 dB
输出功率
3.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
30.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935312585147
单位重量
50.800 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED TECH 1200V 3A
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:4198
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
1:¥16.4415
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
3,000:¥8.0682
参考库存:12110
晶体管
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1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥6.7122
参考库存:13452
晶体管
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1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:1039504
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥46.7142
10:¥42.262
25:¥40.2619
100:¥34.9622
参考库存:12611
  • 海量现货

    50万现货SKU

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