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晶体管
IPI530N15N3 G参考图片

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IPI530N15N3 G

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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.91
791
500
¥7.0512
3525.6
1,000
¥5.5709
5570.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPI530N15N3GXKSA1 SP000807642
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPI530N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥1.6159
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10:¥13.1419
100:¥10.5316
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1:¥8.7575
10:¥7.4128
100:¥5.6952
500:¥5.0285
1,000:¥3.9776
3,000:¥3.9776
参考库存:11362
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1:¥1.3108
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100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
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1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:27300
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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