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晶体管
FQP3N50C-F080参考图片

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FQP3N50C-F080

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库存:8,089(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6896
668.96
500
¥5.9212
2960.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP3N50C
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FQP3N50C_F080
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP3N50C-F080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 SM6, -50V, -100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:17363
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:40440
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP 50V
1:¥1.1526
10:¥1.02152
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:150827
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:50019
晶体管
MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:30546
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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