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晶体管
SI2303CDS-T1-GE3参考图片

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SI2303CDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:50,019(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
1,000
¥1.4464
1446.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.7 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
SI2303BDS-T1-E3-S
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2303CDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.6838
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,500:¥1.2091
10,000:¥1.2091
参考库存:42521
晶体管
达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
参考库存:23193
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:6775
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:22977
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:45289
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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