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晶体管
SI1016X-T1-GE3参考图片

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SI1016X-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
  • 数据手册下载
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库存:138,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.7798
27.798
100
¥2.0679
206.79
500
¥1.695
847.5
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Id-连续漏极电流
400 mA, 600 mA
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms, 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
750 pC, 1500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 mW, 280 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.4 S, 1 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
零件号别名
SI1016X-GE3
单位重量
32 mg
商品其它信息
优势价格,SI1016X-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A
1:¥4,364.8171
5:¥4,101.7983
参考库存:4498
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:34035
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:44402
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:188879
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-11
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:156071
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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