NTB082N65S3F详细参数_参考价格_NTB082N65S3F PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	D2PAK-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Id-连续漏极电流	40 A
Rds On-漏源导通电阻	82 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	81 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	313 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	Reel
系列	SuperFET3
晶体管类型	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	5 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	27 ns
工厂包装数量	800
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	79 ns
典型接通延迟时间	27 ns

商品其它信息

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